是指用甲级厚电云母经过剥分、切制而成,稳定性好。用作云母电容器的电介质材料,具有电容稳定性打及介质损耗角很小,因此工业上广泛的采用云母电容器作为电子工业原件:
是指用甲级厚电云母经过剥分、切制而成,稳定性好。用作云母电容器的电介质材料,具有电容稳定性打及介质损耗角很小,因此工业上广泛的采用云母电容器作为电子工业原件: 云母电容器芯片电气性能要求: 项目 厚度(微米) 2270-1 2270-2 介质常熟 46 46 体积电阻 42*1015 介质损耗角正切值 106赫兹时为0.0003;103赫兹时为0.0004 106赫兹时为0.0003;103赫兹时为0.0004 击穿电压 20-25 1500V 1500V 25-30 1700V 1700V 30-35 2000V 2000V 35-40 2500V 2500V 40以上 3000V 3000V
云母电容器芯片电气性能要求:
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